회사/산업 · 삼성전자 / 공정기술
1. 극저온 식각에서 sidewall passivation을 하는 게 어떤 물질인가요? 2. 극저온 식각에서 활용하는 가스 종류와 각각의 역할이 궁금합니다. 3. DRAM에서 어디에 극저온 식각이 활용될 수 있고 어떤 문제점이 생길 수 있을까요?
2025.10.30
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안녕하십니까 메모리사업부 공정기술 직무를 희망하는 취준생입니다. 제가 화학공학과 출신이고, 광촉매를 활용한 과산화수소 생산 실험에 대한 학부연구생 경험이있습니다. 세정 공정에 과산화수소가 사용되지만 이미 만들어진 과산화수소를 사용하는지라 세정공정을 타겟팅하여 준비해도 되는지 궁금하여 질문드립니다...
안녕하세요, 삼성전자 메모리 사업부 공정기술 쪽으로 지원 희망하는 학부생입니다. 파운드리 사업부의 경우 기업이나 혹은 고객의 요구에 맞춰 반도체를 생산하는 직무인 걸로 알고 있습니다. 메모리 사업부의 경우 JD를 찾아봐도 생산성과 수율을 향상시키는 직무라고만 적혀있지 정확히 몰라서 메모리 사업부도 파운드리 사업부와 마찬가지로 기업이나 혹은 고객의 요구에 맞춰 반도체를 생산하는 직종일까요..?
반도체 쪽 취업을 희망하는 화공과 4학년입니다. 하반기에 반도체 쪽 회사로 공채를 준비하려 하는데 대기업은 힘들 것 같아, 화학공학과 여학생이 취업할 수 있는 반도체 쪽 중견 기업도 찾아보았는데, 동진쎄미켐, 솔브레인이라는 회사가 있더라구요. 삼성전자/하이닉스의 공정 기술 엔지니어는 반도체 칩을 제작하는 공정이고, 동진쎄미켐/솔브레인의 공정 엔지니어는 화학 소재를 제조하는 공정이라고 알고 있습니다. 이때 외부에서 주최하는 반도체 공정 실습을 따로 찾아 수강을 한다면, 동진쎄미켐/솔브레인 자소서를 적을 때도 도움이 될까요.?? 삼성전자와는 공정이 약간 다르다보니 따로 준비 해야 하는 경험들도 다른지 여쭙고 싶습니다.!
안녕하십니까 메모리사업부 공정기술 직무를 희망하는 취준생입니다. 제가 화학공학과 출신이고, 광촉매를 활용한 과산화수소 생산 실험에 대한 학부연구생 경험이있습니다. 세정 공정에 과산화수소가 사용되지만 이미 만들어진 과산화수소를 사용하는지라 세정공정을 타겟팅하여 준비해도 되는지 궁금하여 질문드립니다...
안녕하세요, 삼성전자 메모리 사업부 공정기술 쪽으로 지원 희망하는 학부생입니다. 파운드리 사업부의 경우 기업이나 혹은 고객의 요구에 맞춰 반도체를 생산하는 직무인 걸로 알고 있습니다. 메모리 사업부의 경우 JD를 찾아봐도 생산성과 수율을 향상시키는 직무라고만 적혀있지 정확히 몰라서 메모리 사업부도 파운드리 사업부와 마찬가지로 기업이나 혹은 고객의 요구에 맞춰 반도체를 생산하는 직종일까요..?
반도체 쪽 취업을 희망하는 화공과 4학년입니다. 하반기에 반도체 쪽 회사로 공채를 준비하려 하는데 대기업은 힘들 것 같아, 화학공학과 여학생이 취업할 수 있는 반도체 쪽 중견 기업도 찾아보았는데, 동진쎄미켐, 솔브레인이라는 회사가 있더라구요. 삼성전자/하이닉스의 공정 기술 엔지니어는 반도체 칩을 제작하는 공정이고, 동진쎄미켐/솔브레인의 공정 엔지니어는 화학 소재를 제조하는 공정이라고 알고 있습니다. 이때 외부에서 주최하는 반도체 공정 실습을 따로 찾아 수강을 한다면, 동진쎄미켐/솔브레인 자소서를 적을 때도 도움이 될까요.?? 삼성전자와는 공정이 약간 다르다보니 따로 준비 해야 하는 경험들도 다른지 여쭙고 싶습니다.!
답변 5
멘티님, 극저온 식각에서 sidewall passivation은 SF6와 O2를 함께 쓸 때 O2로부터 생기는 SiOxFy 계열 비정질 막이 대표적으로 생성되어 식각 측벽을 보호합니다. 극저온 식각에 사용되는 대표 가스는 SF6(식각 용), O2(패시베이션·측벽 보호), CF4/CHF3(보조 식각·조절용) 등이며, 각 가스는 식각 반응성, 측벽 막 형성, 식각률 제어에 중요한 역할을 합니다. DRAM에서는 하부 전극 형성, 딥 트렌치 구조 등 미세 홀·패턴 웨이터 제작에 활용되며 이 과정에서 사이드월 옵셋, 과도한 패시베이션, selectivity 저하 등 미세 불량 발생이 문제가 될 수 있습니다. 극저온 조건의 공정 제어 난이도가 높아 yield 관리에 신중함이 요구됩니다. 멘티님만의 정밀 이해가 큰 무기가 되니 집중해서 준비하세요, 파이팅입니다!
안녕하세요. 멘티님. 반갑습니다. 극저온 식각에서 sidewall passivation에 주로 쓰이는 물질은 플루오르나 불소 화합물을 함유한 가스로써 이들은 식각 중에 식각면 옆면에 얇은 보호막을 형성해 불필요한 부식이나 손상을 줄여줍니다. 보통 플루오르 플라즈마가 passivation 역할을 하며 이는 식각이 이루어지는 면 이외의 부위를 보호하는 데 큰 역할을 합니다. 이러한 과정은 매우 정밀해서 원하는 패턴을 정확히 구현하는 데 필수적입니다. 극저온 식각 시에는 일반적으로 SF6, O2, H2, 또는 CHF3 같은 가스들이 사용됩니다. SF6는 주로 플루오르 원자를 공급하여 실리콘 계열 물질을 식각하는 데 도움을 주고 O2는 식각 부산물의 제거를 돕거나 표면을 활성화하는 데 사용합니다. H2는 식각 과정 중 발생하는 불필요한 부산물의 제거와 sidewall passivation 강화에도 관여해 식각 정확도를 높이는 데 기여합니다. DRAM 공정에서는 극저온 식각이 세밀한 패턴을 구현하는 데 중요하지만 온도 제어가 까다롭고 sidewall 보호 실패 시 손상 우려가 있기 때문에 관리가 까다로운 편입니다. 이런 점 유념하시고 극저온 공정 조건을 철저히 분석해보시면 좋겠습니다. 모쪼록 도움이 되셨다면 채택부탁드립니다. 감사합니다.
